来宾干式变压器元器件选型
If=Iav/0.6*2（0.6为不带PFC）
=0.198/0.6*2
=0.66A
电压 额定输出电压90-240V 250V的保险丝即可。
2压敏电阻：V1ma=a*Vinmax/b/c
=1.2*374/0.85/0.9
=487.9V
a：电压波动系数1.2
b：压敏误差系数0.85
c：压敏老化系数 0.9
浪涌波形发生器对外输出有2欧的电阻，打1KV差模浪涌时流通容量：1000/2*2=1000A
3输入大电容
2Po=C=18*2=36uF 故此选择33uF电容
如电容选小了会发生如下情况：
1、纹波电流大会使电容发热。
2、无法满足维持输出功率的能量导致带不起载。
3、低频纹波大。
4、在满足容量的情况下，尽可能的前面放一个小电容后面放一颗大电容，对0.5M前的EMI有很好的效果。
这里注意电容越大MOS的温度会降低
4X电容
输入2pin为2类，输入3pin为1类，2类加强绝缘，1类基本绝缘。2类选择X2电容，容量越大传导效果越好，安规规定X电容超过0.1uF需要加释放电阻，保证输入断电1S内降到安全电压，输入峰值电压的37%
0.65*R*Cx=1 如Cx0.22uF
R=1/0.65/0.22=7Mmax Cx：uF R单位M
R=1/0.65/0.22=7M max 我们选择R1A 1M R1B 2M 这里还要注意耐压我们选择2颗1206贴片电阻
因其他放电回路X电容漏电流这些因数所以最好实测调试。
5Y电容：
根据初级峰值电压选取Y1，Y1参数交流额定工作电压250V 直流额定工作电压400V
二类产品漏电流小于0.25mA
CY=Ileakage/2/π/?/Vrmsmax=0.25/2/3.14/60/264*10-6=2.5nFmax
可以选择不超过2500pF的电容 我们先选择222/400V的，也可以选择2个Y2串联，电容串联容量减半，并联叠加。
不要超过2500pF 具体选择根据EMI实际情况选择
6来宾干式变压器
来宾干式变压器差模来宾干式变压器，理论上来宾干式www.xdbyq.cn/变压器越大EMI效果越好，但是差模来宾干式变压器大来宾干式变压器带来的是匝数多，分布电容大，可能会适得其反。
这里我一直按照个人经验，先选个20mH的感量（传导不过的情况下再试着加大感量） 线径Dp=0.3*0.7=0.21mm
7桥堆选择12V来宾干式变压器
Vd=2√2*Vinmax=2*Vinmax=747V
加470V压敏防雷击后其残压越800V左右*1.1（它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平。）
Vd=775*1.1=852.5V 471最大残压775V
BR1=5*Iav=5*0.198=0.99A
选择1A1KV
8RCD吸收
网上很多计算方法，我也看了很多实验了很多，我觉得算的没有意义太繁琐结果页不是很满意，先采取典型电路配置，个人更喜欢150K电阻，102的电容，加一颗慢管。
电阻电容具体这么选择呢我觉得还是调试把效率和Vds调整到一个合适的平衡，二极管，我看过其他人先的文章说的都有道理，所以我一般能过辐射即可，这里注意满足有异音和这个管子及电容有关系。
来宾干式变压器厂家对于小功率推三极管的尽量还是选慢管可以减小MOS关闭时的震荡频率。
9CS电阻
Vcs<Rcs*Ipk Vcs=Rcs*Ipk*1.2
VCS尽量取低一点避免饱和对充电设备来说恒流更精准，这里注意我有碰过一些IC老化后OCP下降满载掉电压，所以要多试验多验证。
10VCC电容
大了起机速度慢，小了在满载转空载会出现馈电的情况，最严重的满载转空载，VCC进入欠压保护。这里讲一个经验，国产的芯片ESD做的不是太好所以画板时尽干式变压器/量Vcc电容靠近Vcc脚，所有的低单点接地。
